第三代宽禁带半导体产业发展在线技术论坛(第二期)

来源:深圳电子展  作者:DianZiZhan.Com 发布:2020-06-09 16:53      点击:

第三代宽禁带半导体产业发展在线技术论坛

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料,在5G、电动/混动汽车、照明、可再生能源、服务器和工业电源等领域获得广泛应用,而这些应用领域对器件的性能和可靠性有着极高的要求。本次直播将重点介绍如何确保向用户交付的SiC和GaN器件既可靠又有出色的电性能。

主办

中国电子信息博览会(CITE2020)

协办

上海市集成电路行业协会

《中国电子商情》杂志社

合作媒体

TechSugar、科钛网、半导体商城

解读基于第三代宽禁带半导体器件的电源测试设计方案

第三代宽禁带半导体器件SiC& GaN为电源设计行业的发展带来了重大变革。GaN 技术将广泛应用于RF功率放大器,SiC则在电机、驱动器和逆变器等较大功率设计中找到了用武之地。半导体研发工程师正在努力验证和检定新器件。驱动器制造商正在研发新的电路驱动器来满足更快开关速度、EMI 管理和更复杂拓扑网络的要求。本次直播将为您解读基于全新第三代宽禁带半导体的电源设计的全新测试解决方案,半导体厂家如何标定这些器件的静态参数,如何验证它的动态参数,如何优化桥式电路设计及最终产品级别的评价。

演讲嘉宾:泰克科技华东区业务拓展经理 黄正峰

黄正峰先生毕业于浙江大学信息工程专业,泰克资深技术专家,专攻功率电子领域新技术与方案。钻研测试测量技术超过14载,对光伏、储能、锂电、微网、EV、物联网、光通信等多个应用方向的电测技术进行了深入的研究,对各行业中的电源测试有着深刻的理解和丰富的经验。

碳化硅功率器件技术及可靠性探讨

演讲摘要:重点介绍SiC在设计和制造过程中需要重点关注的技术点,以确保交付给客户高质量的产品。

1)SiC器件的衬底和外延片的技术要点;

2) SiC芯片设计时可靠性验证的方法;

3)芯片封装和测试的技术要点。

演讲嘉宾:基本半导体技术营销总监 魏炜

魏炜先生毕业于华中科技大学,电力电子技术硕士。曾供职于艾默生网络能源有限公司,之后加入国内知名代理商晶川电子,任技术支持总监。于2010年加入CONCEPT,被PI收购后任中国区IGBT驱动器产品线技术总监。2019年加入基本半导体。

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